描述：IRF7815TRPBF
150V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用SO-8封裝優勢：IRF7815TRPBF
優化分銷合作伙伴的廣泛可用性
根據JEDEC標準進行產品驗證
邏輯針對的10V電壓驅動電壓（稱為正常預設）優化，能夠在5V電壓下驅動電壓下驅動
工業標準表面安裝封裝
能夠進行波峰焊
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 5.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 34 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 8.2 S
下降時間: 8.3 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.2 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 14 ns
典型接通延遲時間: 8.4 ns
單位重量: 506.600 mg
