743C083682JTR 全國供應商、價格、PDF資料
743C083682JTR詳細規格
- 類別:網絡、陣列
- 描述:RES ARRAY 6.8K OHM 4 RES 2008
- 系列:743
- 制造商:CTS Resistor Products
- 電路類型:隔離
- 電阻333Ω444:6.8k
- 電阻器數:4
- 引腳數:8
- 每元件功率:100mW
- 容差:±5%
- 溫度系數:±200ppm/°C
- 應用:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:2008(5020 公制),凹陷
- 供應商器件封裝:0805 x 4
- 大小/尺寸:0.200" L x 0.079" W(5.08mm x 2.00mm)
- 高度:0.024"(0.60mm)
- 包裝:Digi-Reel®
743C083682JTR詳細規格
- 類別:網絡、陣列
- 描述:RES ARRAY 6.8K OHM 4 RES 2008
- 系列:743
- 制造商:CTS Resistor Products
- 電路類型:隔離
- 電阻333Ω444:6.8k
- 電阻器數:4
- 引腳數:8
- 每元件功率:100mW
- 容差:±5%
- 溫度系數:±200ppm/°C
- 應用:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:2008(5020 公制),凹陷
- 供應商器件封裝:0805 x 4
- 大小/尺寸:0.200" L x 0.079" W(5.08mm x 2.00mm)
- 高度:0.024"(0.60mm)
- 包裝:帶卷 (TR)
743C083682JTR詳細規格
- 類別:網絡、陣列
- 描述:RES ARRAY 6.8K OHM 4 RES 2008
- 系列:743
- 制造商:CTS Resistor Products
- 電路類型:隔離
- 電阻333Ω444:6.8k
- 電阻器數:4
- 引腳數:8
- 每元件功率:100mW
- 容差:±5%
- 溫度系數:±200ppm/°C
- 應用:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:2008(5020 公制),凹陷
- 供應商器件封裝:0805 x 4
- 大小/尺寸:0.200" L x 0.079" W(5.08mm x 2.00mm)
- 高度:0.024"(0.60mm)
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 15UH 1.25A SMD
- FET - 單 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK
- 二極管/齊納陣列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE ZENER DUAL 22V SC70-6
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-220-3 全封裝截切引線 IC REG LDO 5V .5A TO220CP-3
- 單二極管/齊納 Micro Commercial Co DO-213AC(玻璃) DIODE ZENER 500MW 6.8V MINIMELF
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引腳 RING CORE DBL CHOKE 3.9MH 6A
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 220UH .35A SMD
- 二極管/齊納陣列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE ZENER DUAL 22V SC70-6
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 IC REG LDO 7V .5A TO-252-3
- 單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80C
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 68UH .65A SMD
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引腳 RING CORE DBL CHOKE 7.5MH 6A
- 網絡、陣列 CTS Resistor Products 2008(5020 公制),凹陷 RES ARRAY 68K OHM 4 RES 2008
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