B41231C5159M 全國供應商、價格、PDF資料
B41231C5159M詳細規格
- 類別:電容器
- 描述:15000UF 25V 30X30 SNAP IN
- 系列:B41231
- 制造商:EPCOS Inc
- 電容:
- 額定電壓:
- 容差:
- 壽命0a0溫度:
- 工作溫度:
- 特點:
- 紋波電流:
- ESR(等效串聯電阻):
- 阻抗:
- 安裝類型:
- 封裝/外殼:
- 尺寸/尺寸:
- 高度_座高(最大):
- 引線間隔:
- 表面貼裝占地面積:
- 包裝:
- FET - 單 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 390UH 5%
- 電容器 EPCOS Inc 8200UF 50V 30X40 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 50V 20% SMD
- 端子 - 環形 TE Connectivity 徑向,Can - SMD CONN RING 14-18AWG #6 TIN CRIMP
- 端子 - 快速連接,快速斷連 TE Connectivity 徑向,Can - SMD CONN RCPT TAB 22-18AWG .250
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 390UH 10%
- FET - 單 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 63V 20% SMD
- 端子 - 環形 TE Connectivity 徑向,Can - SMD CONN RING UNINS 14-18AWG #8
- 端子 - 快速連接,快速斷連 TE Connectivity 徑向,Can - SMD CONN TAB FASTON .187
- FET - 單 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 560UH 5%
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1206
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