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BSD235N L6327 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSD235N L6327詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:950mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 950mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1.6µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.32nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:63pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:PG-SOT363-6
包裝:剪切帶 (CT)

BSD235N L6327詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:950mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 950mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1.6µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.32nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:63pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:PG-SOT363-6
包裝:帶卷 (TR)

BSD235N L6327詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:950mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 950mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1.6µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.32nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:63pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:PG-SOT363-6
包裝:Digi-Reel®

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