CRCW2010196RFKEFHP 全國供應商、價格、PDF資料

CRCW2010196RFKEFHP詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 196 OHM 1W 1% 2010 SMD

系列：CRCW-HP

制造商：Vishay Dale

電阻333Ω444：196

功率333W444：1W

成分：厚膜

特性：獲得 AEC-Q200 汽車認證，防脈沖

溫度系數：±100ppm/°C

容差：±1%

封裝/外殼：2010（5025 公制）

供應商器件封裝：2010（5025 公制）

大小/尺寸：0.197" L x 0.098" W（5.00mm x 2.50mm）

高度：0.028"（0.70mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• IDT71V65602S150PFGI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    100-LQFP    IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP

• ESBM08200

  接線板 - 線至板    Amphenol PCD        CONN TERM BLK 8 POS 3.81MM R/A

• ESR18EZPJ163

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 16K OHM 1/3W 5% 1206 SMD

• CRCW2010196KFKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 196K OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• H3BXT-10105-A6-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3049A/X 5"

• ICS844001AGILFT

  時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器    IDT, Integrated Device Technology Inc    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC CLK GEN FIBRE CHAN 8-TSSOP

• CRCW2010196RFKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 196 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ESR18EZPJ182

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 1.8K OHM 1/3W 5% 1206 SMD

• IDT71V65603S100BQG

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA

• ESR18EZPJ201

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 200 OHM 1/3W 5% 1206 SMD

• H3BXT-10105-R4-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A2015R/X 5"

• ICS844001AGLF

  時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器    IDT, Integrated Device Technology Inc    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC CLK GEN FIBRE LVDS 8-TSSOP

• CRCW201019R6FKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 19.6 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• IDT71V65603S133BQG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA

• ESBM19100

  接線板 - 線至板    Amphenol PCD        CONN TERM BLK 19POS 3.5MM R/A BK