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DDTB122TC-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTB122TC-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DDTB122TC-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DDTB122TC-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：Digi-Reel®

DDTB122TC-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTB122TC-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DJT16E25-29BN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 29POS SKT
KPT06J12-10PY
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 10POS W/PIN CABLE
DDTB122TC-7
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
GRM0336T1E3R4CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 3.4PF 25V T2H 0201
DEMOBOARD-U4037B
過時/停產零件編號 Atmel BOARD DEMO FOR U4037B
KSP44TA
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANSISTOR NPN 400V 0.3A TO-92
DJT14F17-6JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 6POS JAM NUT W/SKT
GRM0335C1H5R8BD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.8PF 50V NP0 0201
DJT16E25-29JC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 29POS STRGHT W/SKT
GRM0336T1E470JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 47PF 25V 5% T2H 0201
KSP6521BU
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANSISTOR NPN 25V 100MA TO-92
GRM0335C1H5R8CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.8PF 50V NP0 0201
DJT14F17-6SN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 6POS JAM NUT W/SKT
DEMOFLEXISJMSD
RFID 評估和開發套件及電路板 Freescale Semiconductor CARD READER M9S08JM60
DJT16E25-29PC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 29POS STRGHT W/PINS

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