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DMN601DWK-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DMN601DWK-7詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:305mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:剪切帶 (CT)

DMN601DWK-7詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:305mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

DMN601DWK-7詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:305mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:Digi-Reel®

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