GJM0335C1E6R8CB01D 全國供應商、價格、PDF資料

GJM0335C1E6R8CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：6.8pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：剪切帶 (CT)

故障率：

GJM0335C1E6R8CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：6.8pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：帶卷 (TR)

GJM0335C1E6R8CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：6.8pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：Digi-Reel®

GJM0335C1E6R8CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：6.8pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：剪切帶 (CT)

GJM0335C1E6R8CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：6.8pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：Digi-Reel®

故障率：

GJM0335C1E6R8CB01D詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

系列：GJM

制造商：Murata Electronics North America

電容：6.8pF

電壓_額定：25V

容差：±0.25pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：帶卷 (TR)

故障率：

• IRG4PC20U

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-247-3    IGBT STD 250V 98A TO-247AC

• FDS86242

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

• IR21064PBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    14-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP

• H4BBG-10105-S1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047S/H9991TR 5"

• ISC1812RV100K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 10UH 10% 1812

• GJM0335C1E6R7WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201

• FDS86252

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOICN

• H4BBG-10106-N1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047N/H9991TR 6"

• IR21064STRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14SOIC

• H4BBG-10108-A1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047A/H9991TR 8"

• IR2106STRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC

• FDS8813NZ

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC

• GJM0335C1E6R8DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

• ISC1812RV331K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330UH 10% 1812

• HAU470KBACRAKR

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 47PF 1KV 10% RADIAL