IRF9520L詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:I2PAK
- 包裝:管件
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3300UH .27A SMD
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 20.5K OHM 1W 1% 2512 SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 1M OHM 8 RES 1608
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 4700UH .23A SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 20.0 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 1M OHM 8 RES 1608
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 5.6UH 6.0A SMD
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
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