IRLW630ATM 全國供應商、價格、PDF資料

IRLW630ATM詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：755pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• HCM44DRKF

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD

• IRFP460C

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

• H3BXT-10110-R6-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3049R/X 10"

• G7J-2A2B-T-W1 AC200/240

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE 4PST 25A 240V

• IRLW510ATM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK

• H5BXT-10108-R9-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H2728TR/C2064R/X 8"

• GQM1875C2E120GB12D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 12PF 250V 2% NP0 0603

• H3BXT-10110-W8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048W/X 10"

• IRFPC50LCPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-247-3    MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC

• G7J-3A1B-PZ DC12

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE 4PST 25A 12V

• H3BXT-10112-N8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048N/X 12"

• H5BXT-10108-V2-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H2730TR/C2016V/X 8"

• IRFPE30

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-247-3    MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC

• HCM44DRYF

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD

• GQM1875C2E180JB12D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 18PF 250V 5% NP0 0603