ISC1812RV1R8K 全國供應商、價格、PDF資料

ISC1812RV1R8K詳細規格

類別：固定式

描述：INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812

系列：ISC-1812

制造商：Vishay Dale

類型：鐵粉芯

電感：1.8µH

電流：

額定電流：403mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵粉

屏蔽：屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 430 毫歐

不同頻率時的Q值：30 @ 7.96MHz

頻率_自諧振：90MHz

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W x 0.126" H（4.50mm x 3.20mm x 3.20mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• IRG4IBC10UDPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3 整包    IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO220FP

• IRG4PC20U

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-247-3    IGBT STD 250V 98A TO-247AC

• FDS86242

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

• IR21064PBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    14-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP

• H4BBG-10105-S1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047S/H9991TR 5"

• ISC1812RV100K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 10UH 10% 1812

• GJM0335C1E6R7WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201

• FDS86252

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOICN

• H4BBG-10106-N1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047N/H9991TR 6"

• GJM0335C1E6R8CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

• H4BBG-10108-A1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047A/H9991TR 8"

• IR2106STRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC

• FDS8813NZ

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC

• GJM0335C1E6R8DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201

• ISC1812RV331K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330UH 10% 1812