NOJT106M006RWJ 全國供應商、價格、PDF資料

NOJT106M006RWJ詳細規格

類別：氧化鈮

描述：CAP NIOB OXIDE 10UF 6.3V 1210

系列：OxiCap® NOJ

制造商：AVX Corporation

電容：10µF

電壓_額定：6.3V

容差：±20%

ESR（等效串聯電阻）：2.2 歐姆

電流_泄漏電流：1.2µA

耗散因數：6%

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：1210（3528 公制）

制造商尺寸代碼：T

高度_座高（最大）：0.047"（1.20mm）

特點：-

工作溫度：-55°C ~ 105°C

包裝：帶卷 (TR)

• MFR-25FRF-24R9

  通孔電阻器    Yageo    軸向    RES 24.9 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R

• NLC565050T-391K-PF

  固定式    TDK Corporation    2220（5650 公制）    INDUCTOR POWER 390UH 130MA 2220

• HM2P65PDH2L5N9

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN HEADER 125POS TYPE AB VERT

• NDS8425

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC

• OSTYK60409230

  接線座 - 隔板塊    On Shore Technology Inc        CONN BARRIER STRIP 9CIRC 10MM

• NE01-CCPC1-EL10

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    24-DIP 模塊（600 mil，8 引線）    NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE

• NLAS4051SDTR2G

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    ON Semiconductor    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP

• MFR-25FRF-25K5

  通孔電阻器    Yageo    軸向    RES 25.5KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R

• MT48LC64M8A2P-75:C

  存儲器    Micron Technology Inc    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP

• HM2P66PD5110N9

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN HEADER 110POS TYPE AB VERT

• NDS8426A

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-SOIC

• NLAS4052DTR2

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    ON Semiconductor    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16TSSOP

• NE01-CCPC1-EL10

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    24-DIP 模塊（600 mil，8 引線）    NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE

• MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR

  存儲器    Micron Technology Inc    54-VFBGA    IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA

• MFR-25FRF-261R

  通孔電阻器    Yageo    軸向    RES 261 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R