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SIZ900DT-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SIZ900DT-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A, 28A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 mOhm @ 19.4A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1830pF @ 15V
功率_最大:4.6W, 5.2W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

SIZ900DT-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A, 28A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 mOhm @ 19.4A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1830pF @ 15V
功率_最大:4.6W, 5.2W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

SIZ900DT-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A, 28A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 mOhm @ 19.4A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1830pF @ 15V
功率_最大:4.6W, 5.2W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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