SPB1 全國供應商、價格、PDF資料

SPB1詳細規格

類別：箱 - 元件

描述：PANEL SWING KIT

系列：SPB

制造商：Hammond Manufacturing

類型：面板套件

特性：鉸鏈式

配套使用產品/相關產品：1414、EJ、C3R-HCLO 系列

大小/尺寸：-

顏色：-

材料：-

SPB10045E3詳細規格

類別：二極管，整流器

描述：DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT-227

系列：-

制造商：Microsemi Power Products Group

電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：570mV @ 100A

電流_在Vr時反向漏電：5mA @ 45V

電流_平均整流333Io444（每個二極管）：100A

電壓_333Vr444（最大）：45V

反向恢復時間333trr444：-

二極管類型：肖特基

速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）

二極管配置：2 個獨立式

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應商設備封裝：SOT-227

包裝：管件

SPB100N03S2-03詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 80A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：P-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

SPB100N03S2-03 G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 80A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：P-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

SPB100N03S203T詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 80A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：P-TO263-3

包裝：剪切帶 (CT)

SPB100N03S203T詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 80A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：P-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

• SQCAEM680JAJME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 68PF 150V 5% 0605

• SR072A270JAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 27PF 200V 5% RADIAL

• SN74S38DR

  邏輯 - 柵極和逆變器    Texas Instruments    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC QUAD 2IN POS-NAND BUFF 14SOIC

• SFH 4510-Z

  紅外發射器，UV 發射器    OSRAM Opto Semiconductors Inc    徑向    EMITTER IR 950NM SMR RADIAL

• SPB100N03S203T

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

• RT0805DRD07732KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 732K OHM 1/8W .5% SMD 0805

• SDS100-PRW2-F37-SN00-1

  D-Sub    Sullins Connector Solutions    非標準    CONN D-SUB RCPT 37POS SLD CUP

• RT0603FRE0749K9L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 49.9K OHM 1/10W 1% SMD 0603

• SQCAEM680JAJME\500

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 68PF 150V 5% 0605

• SFH 4512

  紅外發射器，UV 發射器    OSRAM Opto Semiconductors Inc    徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）    LED IR EMITTER 950NM

• SN74S38DRG4

  邏輯 - 柵極和逆變器    Texas Instruments    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC GATE NAND QUAD 2-INPUT 14SOIC

• SDS100-PRW2-M15-SN00-1

  D-Sub    Sullins Connector Solutions    非標準    CONN D-SUB PLUG 15POS SLD CUP

• RT0603FRE074K32L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 4.32K OHM 1/10W 1% SMD 0603

• SQCAEM680JAJWE

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 68PF 150V 5% 0605

• RT0805DRD07750RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 750 OHM 1/8W .5% SMD 0805