STB15NM60N的供應信息|PDF資料|求購STB15NM60N上51電子網

STB15NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：299 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 50V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB15NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：299 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 50V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB15NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：299 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 50V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB15NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：299 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 50V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB15NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：299 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 50V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB15NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：299 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 50V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

ST72F321BJ6T3
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44-LQFP
SM1Y-7
標記 Panduit Corp 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） WIRE MARKER B/Y .10-.20"250PC
SMCJ100A
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 100V 1500W UNI 5% SMC
SST12LF01-QDE
RF 前端 (LNA + PA) Microchip Technology 24-WFQFN 裸露焊盤 IC FRONT END MOD 2.4GHZ 24WQFN
STEVAL-PCC009V3
配件 STMicroelectronics BOARD EVAL S-TOUCH STM32
STM6717SVWY6F
PMIC - 監控器 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-5
SIR888DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC
ST72F321J9T6
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 44-LQFP MCU 8BIT 60KB FLASH 44TQFP
SM1Y-9
標記 Panduit Corp 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） WIRE MARKER B/Y .10-.20"250PC
STEVAL-PCC009V3
配件 STMicroelectronics BOARD EVAL S-TOUCH STM32
SST12LF02-QXCE
RF 前端 (LNA + PA) Microchip Technology 16-QFN IC AFE WLAN 11B/G/N 16XQFN
SIRA10DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 30A SO-8
STM6717TGGWY6F
PMIC - 監控器 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 IC SUPERVISOR SOT23-5
ST72F321R6T6
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 64-LQFP MCU 8BIT 32KB FLASH 64TQFP
SM1Y-S
標記 Panduit Corp 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） WIRE MARKER B/Y .10-.20"250PC

91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av