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BTS244 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BTS244Z詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 19A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 130µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 25V
功率_最大:170W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-5 成形引線
供應商設備封裝:PG-TO220-5-3
包裝:管件

BTS244Z E3043詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 19A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 130µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 25V
功率_最大:170W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-5
供應商設備封裝:P-TO220-5
包裝:管件

BTS244Z E3062A詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 19A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 130µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 25V
功率_最大:170W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-263-5,D²Pak(4 引線+接片),TO-263BB
供應商設備封裝:P-TO220-5
包裝:帶卷 (TR)

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