FQP6N90C 全新原裝正品 優勢價格
- 發布時間：2015/5/18 11:34:30
- 所屬類別：晶體 » 其它晶體元件
- 公 司：深圳市凱富欣科技有限公司
FQP6N90C 全新原裝正品 優勢價格屬性
- 0
- FAIRCHILD/仙童
FQP6N90C 全新原裝正品 優勢價格描述
這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式。 這些設備很好適合高效率開關模式電源。
FQP6N90C 全新原裝正品 優勢價格相關產品
- FDA24N50F 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型功率場效應——轉機職權范圍生產使用飛兆的專有,平面內縞,DMOS結構技術。這種推進技術特別適合迷你麥斯開態電阻,提供優越的切換、-曼斯,承受高能
- FDA24N50F 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型功率場效應——轉機職權范圍生產使用飛兆的專有,平面內縞,DMOS結構技術。這種推進技術特別適合迷你麥斯開態電阻,提供優越的切換、-曼斯,承受高能
- FCPF11N60 全新原裝正品 優勢價格
- SuperFETTM 是新一代高壓場效應管從仙童杰出的低導通電阻和低門負責性能,專有技術的結果利用先進的電荷平衡機制。這種先進的技術已經根據最小化傳導損失,提供
- FCPF22N60NT 全新原裝正品 優勢價格
- 將MOSFET,飛兆的下一代高電壓super-junction mosfet,采用深溝的灌裝基于過程就有別于前multi-epi科技-的認識。 利用這一先進技術
- FQPF6N80C全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- FQPF7N80C 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- FQPF8N80C 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- UC3875N 全新原裝正品 優勢價格
- UC1875系列集成電路實現控制的橋梁移相開關功率級的一個網格狀的尊重到另一端,讓恒頻脈寬調制的結合-國家與諧振零切換高效性能在高頻率。 這個家庭電路可以提供配
同類產品
- FQPF6N80C全新原裝正品 優勢價格
- FQPF7N80C 全新原裝正品 優勢價格
- FQPF8N80C 全新原裝正品 優勢價格
- UCC27424DR 全新原裝正品 優勢價格
- STP4NK60ZFP全新原裝正品 優勢價格
- STP10NK60ZFP 全新原裝正品 優勢價格
- STP7NK80ZFP 全新原裝正品 優勢價格
- STP9NK60ZFP 全新原裝正品 優勢價格
- STW25NM50N全新原裝正品 優勢價格
- STW45NM60 全新原裝正品 優勢價格
- FDA24N50F 全新原裝正品 優勢價格
- FDA24N50F 全新原裝正品 優勢價格
- FCPF11N60 全新原裝正品 優勢價格
- FCPF22N60NT 全新原裝正品 優勢價格
- FCPF20N60全新原裝正品 優勢價格
- FDPF18N50全新原裝正品 優勢價格
- STW10NK80Z 全新原裝正品 優勢價格
- STP4NK60ZFP全新原裝正品 優勢價格
- STW45NM60 全新原裝正品 優勢價格
- STW25NM50N全新原裝正品 優勢價格
公網安備44030402000607
