FQPF8N80C 全新原裝正品 優勢價格
- 發布時間：2015/5/18 11:34:30
- 所屬類別：晶體 » 其它晶體元件
- 公 司：深圳市凱富欣科技有限公司
FQPF8N80C 全新原裝正品 優勢價格屬性
- 0
- FAIRCHILD/仙童
FQPF8N80C 全新原裝正品 優勢價格描述
這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式。 這些設備很好適合高效率開關模式電源。
FQPF8N80C 全新原裝正品 優勢價格相關產品
- FDPF13N50NZ
- 全新原裝正品 優勢價格
- FDPF12N60NZ 全新原裝正品 優勢價格
- UniFETTM 二世MOSFET飛兆半導體公司®高伏特基于先進的平面條紋和年齡MOSFET家庭DMOS結構技術。 這種先進的家庭的MOSFET最小的
- FDPF7N60NZ 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型功率場效應——轉機職權范圍生產使用飛兆的專有,平面內縞,延遲性肌肉酸痛的技術。這種推進技術特別適合迷你麥斯開態電阻,提供優越的切換、-曼斯,承受
- FDPF10N60NZ 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專有,平面條紋,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合最小化使用狀態阻力,提供優越的切換性能和承受高能量脈沖雪崩和變
- FQPF7N80C 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- FQPF6N80C全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- FQP6N90C 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- FDA24N50 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型功率場效應——轉機職權范圍生產使用飛兆的專有,平面內縞,DMOS結構技術。這種推進技術特別適合迷你麥斯開態電阻,提供優越的切換、-曼斯,承受高能
同類產品
- FQPF7N80C 全新原裝正品 優勢價格
- FQPF6N80C全新原裝正品 優勢價格
- FQP6N90C 全新原裝正品 優勢價格
- FDA24N50 全新原裝正品 優勢價格
- FCPF11N60 全新原裝正品 優勢價格
- FCPF22N60NT全新原裝正品 優勢價格
- FCPF20N60全新原裝正品 優勢價格
- KA3525A 全新原裝正品 優勢價格
- RHRP1560 全新原裝正品 優勢價格
- FDC6333C 全新原裝正品 優勢價格
- FDPF13N50NZ
- FDPF12N60NZ 全新原裝正品 優勢價格
- FDPF7N60NZ 全新原裝正品 優勢價格
- FDPF10N60NZ 全新原裝正品 優勢價格
- FQPF3N80C 全新原裝正品 優勢價格
- FDP047N08全新原裝正品 優勢價格
- FQPF5N60C 全新原裝正品 優勢價格
- FQA11N90C全新原裝正品 優勢價格
- FQA9N90C全新原裝正品 優勢價格
- STF2HNK60Z
公網安備44030402000607
