H5TQ2G63BFR-PBC

H5TQ2G63BFR-PBC屬性

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H5TQ2G63BFR-PBC描述

H5TQ2G63BFR-PBC

描述

H5TQ2G63BFR是2,147,483,648位CMOS雙數據速率III(DDR3)同步DRAM,適合的主內存的應用程序需要大內存密度和高帶寬。海力士2 GB DDR3 內部提供充分完全同步操作參考時鐘的上升和下降的邊緣。盡管所有地址和控制輸入閂鎖的邊緣上升CK(CK)的邊緣下降,數據,數據用閃光燈和面具寫入數據采樣是在上升和下降的邊緣。數據路徑內部流水線和8位預取的實現非常高的帶寬。

H5TQ2G63BFR-PBC

特性

•VDD = VDDQ = 1.5 v + / - 0.075 v 　　
•完全微分時鐘輸入(CK、CK)操作斯特羅布
•微分數據(dq,dq)
•在芯片DLL對齊DQ、DQ和DQ與CK過渡過渡　　
•DM面具寫數據輸入在上升和下降斯特羅布的邊緣數據　　
•所有地址和控制輸入數據除外,數據用閃光燈和數據掩蓋了鎖定的上升的邊緣的時鐘　　
•可編程CAS延遲6、7、8、9、10、11、12、13 和14個支持　　
•可編程添加劑延遲0,CL-1,CL-2 支持　　
•可編程CAS寫延遲(CWL)= 5,6,7,8,9 　　　　
•可編程脈沖串長度與咬4/8順序和交錯模式　　
•提單開關
•8銀行　　
•平均刷新周期(Tcase 0攝氏度~ 95攝氏度) - 7.8μs在0攝氏度~ 85 oC - 3.9μs在85度~ 95度　　
•汽車自我更新的支持　　
•96年JEDEC標準球FBGA(x16) 　　
•驅動力量選擇電子病歷　　
•動態模終止支持　　
•異步復位銷支持　　
•ZQ校準支持　　
•寫Levelization支持　　
•在死熱傳感器的支持　　
•8位預取
模式寄存器MR1
　模式寄存器MR1存儲數據啟用,禁用DLL,輸出驅動力量,Rtt_Nom阻抗、添加劑延遲寫水準啟用,TDQS啟用和Qoff。模式寄存器1是寫的主張低CS,RAS,中科院,我們,BA0和低BA1 BA2高,同時控制的狀態地址。

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