H5TQ2G63DFR

H5TQ2G63DFR屬性

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H5TQ2G63DFR描述

H5TQ2G63DFR描述
盡管所有地址和控制輸入的邊緣上升的CK(CK)的邊緣下降,數據,數據用閃光燈和面具寫入數據輸入采樣在上升和下降的邊緣。數據路徑內部流水線和8位預取的實現非常高的帶寬。


H5TQ2G63DFR特性
•VDD = VDDQ = 1.5 v + / - 0.075 v
•完全微分時鐘輸入(CK、CK)操作
•微分數據(dq,dq)
•在芯片DLL對齊DQ、DQ和DQ與CK過渡轉型
•DM面具寫數據輸入的數據選通脈沖的上升和下降的邊緣
•所有地址和控制輸入,除了數據,數據用閃光燈和數據掩蓋了鎖定在時鐘的上升的邊緣
•可編程CAS延遲5、6、7、8、9、10、11、12、13和14支持
•可編程添加劑延遲0、CL-1 CL-2支持
•可編程脈沖時間4/8咬順序和交錯模式
•提單開關
•平均刷新周期(Tcase 0攝氏度~ 95攝氏度)
- µs at - 7.8 0oC ~ 85 oC
- 3.9µs在85度~ 95度
商業溫度(0攝氏度~ 85攝氏度)
工業溫度(-40度~ 95度)
•汽車自我更新的支持
•JEDEC標準78球FBGA(x8 -),96球FBGA(x16)
•驅動力量選擇電子病歷
•動態模終止支持
•異步復位銷支持
•ZQ校準支持
•TDQS(終止數據選通)支持(×8只)
•寫Levelization支持
•8位預取



IDD和IDDQ規范參數
IDD和IDDQ測試條件和測試條件

•IDD電流(例如IDD0、IDD1 IDD2N,IDD2NT,IDD2P0,IDD2P1,IDD2Q,IDD3N,IDD3P,IDD4R,IDD4W,IDD5B,IDD6,IDD6ET,IDD6TC和IDD7)測量是時間上的電流與所有VDD球DDR3 SDRAM測試下綁在一起。不包括任何IDDQ當前IDD。
•IDDQ電流(例如IDDQ2NT和IDDQ4R)測量上的電流與所有VDDQ球DDR3 SDRAM測試下綁在一起。不包括任何IDD當前IDDQ壞蛋——租金。
注意:
IDDQ值不能直接用來計算IO DDR3 SDRAM的力量。他們可以用來支持相關的模擬輸入輸出功率實際輸入輸出功率如圖2中列出。分別在DRAM模塊應用程序中,IDDQ無法衡量自VDD VDDQ使用模塊PCB merged-power層之一。

對于IDD和IDDQ測試,以下定義適用:
•“0”和“低”的定義是VIN < = V ILAC(max)。
•“1”和“高”被定義為VIN > = V IHAC(max)。
•“MID_LEVEL”被定義為輸入VREF = VDD / 2。
•時間用于IDD和IDDQ Measurement-Loop模式是表1中提供。
•基本IDD和IDDQ測試條件如表2中所描述的。
•詳細IDD和IDDQ Measurement-Loop模式是描述在表3表10。
•IDD測量正確初始化DDR3 SDRAM后完成。這包括但不僅lim -報道設置
•注意:IDD和IDDQ Measurement-Loop模式需要執行至少一個實際IDD或IDDQ測試開始時間。
•定義D = { CS,RAS,中科院,我們}:= {高、低、低、低}
•定義D = { CS,RAS,中科院,我們}:= {高,高,高,高}
如有需要，請聯系QQ：2355301434

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