IRF640NSPBF
IRF640NSPBF屬性
- MOSFET
- TO-252-3
- IR
IRF640NSPBF描述
制造商: International Rectifier
產品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導通電阻: 150 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 44.7 nC
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標: International Rectifier
配置: Single
下降時間: 5.5 ns
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 150 W
上升時間: 19 ns
工廠包裝數量: 50
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 10 ns