FQD1N80TM
- 發布時間：2020/3/30 9:03:47
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市金嘉銳電子有限公司
- 聯 系 人：朱先生
FQD1N80TM屬性
- MOSFET
- TO-252-3
- Fairchild
FQD1N80TM描述
制造商: Fairchild Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續漏極電流: 1 A
Rds On-漏源導通電阻: 20 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
通道模式: Enhancement
商標: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降時間: 25 ns
正向跨導 - 最小值: 0.75 S
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
上升時間: 25 ns
系列: FQD1N80
工廠包裝數量: 2500
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 15 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: FQD1N80TM_NL
單位重量: 260.370 mg
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聯系方式
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