IXFB44N100P

IXFB44N100P屬性

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IXFB44N100P描述

制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1000 V
Id-連續漏極電流: 44 A
Rds On-漏源導通電阻: 220 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 6.5 V
Qg-柵極電荷: 305 nC
最大工作溫度: + 150 C
技術: Si
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 56 ns
正向跨導 - 最小值: 20 S
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
上升時間: 68 ns
系列: IXFB44N100
商標名: Polar, HiPerFET
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 90 ns
典型接通延遲時間: 60 ns
單位重量: 1.600 g

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