First Sensor

First Sensor屬性

---

First Sensor描述

德國 First Sensor公司First Sensor 成立于1991年，前身是東德的光電產品制造商“Werk für Fernsehelektronik”，擁有一只由物理、化學及富有經驗的工程師等專業人才組成的技術團隊，并具有超過30年的光電探測器制造經驗。目前First Sensor 在高性能硅探測器探測領域已經處于領先地位，產品包括：PIN光電二極管、雪崩光電二極管、位敏光電二極管、四象限光電二極管、頻敏光電二極管。光電二極管 Series Picture Example Short Description Specs PIN光電二極管 光電二極管(PIN)，用于將光信號轉換為電信號，形成光電效應/光電池。PIN光電二極管應用廣泛，包括： 安檢設備、激光測距、運動控制、分析儀器、生物醫療、光通信、軍事、航空航天。 雪崩二極管 FISRT SENSOR 雪崩光電二極管(APD) 供應雪崩二極管(APD)，是一種內部增益機制的光電二極管。根據具體應用，可以選擇：藍光增強型、紅光增強型、紅外增強型(900nm、1064nm)。 雪崩二極管廣泛應用于：安檢設備、激光測距、運動控制、分析儀器、生物醫療、光通信、軍事、航空航天、光通訊。 PSD位敏光電二極管 FIRST SENSOR AG公司 位敏光電二極管 位敏探測器(PSD)是根據橫向光電效應(電壓和電流信號隨著光斑位置變化而變換的現象)的半導體敏感元件，將照射在光敏面上的光斑強度和位移量轉換為電信號，以實現位置探測。 四象限光電二極管/陣列 FIRST SENSOR公司 四象限光電二極管/陣列 四象限探...光電二極管
　


供應光電二極管（PIN photodiodes），用于將光信號轉換為電信號，形成光電效應/光電池。該系列光電二極管應用廣泛，包括： 安檢設備、激光測距、運動控制、分析儀器、生物醫療、光通信、軍事、航空航天。如果采購數量10片以上，提供配套的驅動電路模塊。

　Series 6b: Blue/Green sensitive photodiodes

Order #
Type
Active Area
Dark Current
Rise Time

Chip
Package
Size
Area
5V
410nm 5V
　

mm
mm2
nA
ns

501429
PS1-6b
TO52S1
1×1
1
0.05
10

501430
PS1-6b
LCC6.1
1×1
1
0.05
10

501297
PC5-6b
TO5
Ø2.52
5
0.1
20

501242
PS7-6b
TO5
2.7×2.7
7
0.15
25

501229
PC10-6b
TO5
Ø3.57
10
0.2
45

501241
PS13-6b
TO5
3.5×3.5
13
0.25
50

501244
PS33-6b
TO8
5.7×5.7
33
0.6
140

501258
PS100-6b
LCC10S
10×10
100
1
200

501135
PS100-6b
CERpinE
10×10
100
1
200

501045
PS100-6b
CERpinG
10×10
100
1
200

Band-pass filter modules: PR20-6b TO5i with center wavelength 488nm, 550nm, 633nm, 680nm

Series 5b: High speed photodiodes (for Blue-sensitive photodiodes)

Order #
Type
Active Area
Dark Current
Rise Time

Chip
Package
Size
Area
3.5V
405nm 3.5V
　

mm
mm2
nA
ns

501424
PS1.0-5b
TO52S1
1.0×1.0
1
0.01
1.3

501428
PS1.0-5b
LCC6.1
1.0×1.0
1
0.01
1.3

501425
PS7-5b
TO5
2.7×2.7
7
0.5
5

501426
PC10-5b
TO5
Ø3.57
10
0.5
6

501427
PS13-5b
TO5
3.5×3.5
13
1
6

Series 5t: High speed photodiodes for low voltages (for low operating voltages between 3 and 5V, making them ideal for VIS and NIR applications in conjunction with CMOS components)

Order #
Type
Active Area
Dark Current
Rise Time

Chip
Package
Size
Area
3.5V
850nm 3.5V
　

mm
mm2
nA
ns

501126
PS0.25-5t
LCC6.1
0.5×0.5
0.25
0.01
0.4

501434
PS0.25-5t
SMD1206
0.5×0.5
0.25
0.01
0.4

501125
PC0.55-5t
LCC6.1
Ø0.84
0.55
0.01
1

501289
PC0.55-5t
T1 3/4
Ø0.84
0.55
0.01
1

501290
PC0.55-5t
T1 3/4 black
Ø0.84
0.55
0.01
1

501127
PS1-5t
LCC6.1
1.0×1.0
1
0.01
1

501432
PS7-5t
TO5
2.7×2.7
7
0.5
1

Series 5: High speed photodiodes (for fast rise times at low reverse voltages)

Order #
Type
Active Area
Dark Current
Rise Time

Chip
Package
Size
Area
20V
850nm 20V
　

mm
mm2
nA
ns

500122
PS0.25-5
TO52S1
0.5×0.5
0.25
0.1
0.4

500119
PS0.25-5
TO52S3
0.5×0.5
0.25
0.1
0.4

500973
PS0.25-5
LCC6.1
0.5×0.5
0.25
0.1
0.4

500116
PS0.25-5
SMD1206
0.5×0.5
0.25
0.1
0.4

501257
PC0.55-5
TO52S1
Ø0.84
0.55
0.2
1

501124
PC0.55-5
LCC6.1
Ø0.84
0.55
0.2
1

500127
PS1.0-5
TO52S1
1.0×1.0
1
0.2
1.5

500128
PS1.0-5
TO52S3
1.0×1.0
1
0.2
1.5

501128
PS1.0-5
LCC6.1
1.0×1.0
1
0.2
1.5

501291
PS7-5
TO5
2.7×2.7
7
0.5
2

501218
PS11.9-5
TO5
3.45×3.45
11.9
1
3

500097
PC20-5
TO8
Ø5.05
20
2
3.5

501292
PS33-5
TO8
5.7×5.7
33
2
3.5

501011
PS100-5
LCC10S
10×10
100
2
5

501433
PS100-5
CERpinG
10×10
100
2
5

Series 6: IR photodiodes with min. dark current (for low-capacitance light detection as well as for α, β, ϒ and X-radiation detection)

Order #
Type
Active Area
Dark Current
Rise Time

Chip
Package
Size
Area
10V
850nm 10V
　

mm
mm2
nA
ns

500151
PC1-6
TO52S1
Ø1.13
1
0.05
10

500482
PC1-6
TO52S3
Ø1.13
1
0.05
10

501214
PC5-6
TO5
Ø2.52
5
0.1
13

501221
PS7-6
TO5
2.66×2.66
7
0.1
15

501193
PC10-6
TO5
Ø3.57
10
0.2
20

501246
PS13-6
TO5
3.5×3.5
13
0.2
20

500113
PC20-6
TO8
Ø5.05
20
0.3
25

501298
PS33-6
TO8
5.7×5.7
33
0.4
25

500103
PC50-6
TO8S
Ø7.98
50
0.5
30

500082
PC100-6
BNC
Ø11.28
100
1
40

501264
PS100-6
BNC
10×10
100
1
40

501435
PS100-6
LCC10S
10×10
100
1
40

500149
PS100-6
CERpinG
10×10
100
1
40

Series 7: IR photodiodes with fully depletable (very low capacitance levels)

Order #
Type
Active Area
Dark Current
Rise Time

Chip
Package
Size
Area
10V
905nm 10V
　

mm
mm2
nA
ns

501285
PC5-7
TO8i
Ø2.52
5
0.05
45

501286
PC10-7
TO8i
Ø3.57
10
0.1
50

501287
PC20-7
TO8Si
Ø5.05
20
0.2
50

501317
PS100-7
LCC10G
10×10
100
1.5
50

Series Q: Photodiodes for 1064nm (specifically for laser rangefinders, laser-based targeting systems or any applications using YAG lasers or similar NIR radiation sources)

Order #
Type
Active Area
Dark Current
Rise Time

Chip
Package
Size
Area
150V
1064nm 150v
　

mm
mm2
nA
ns

501446
PC10-Q
TO8i
Ø3.57
10
0.5
14

501447
PC20-Q
TO8Si
Ø5.05
20
1
14

501273
PS100-Q
LCC10G
10×10
100
80
14

501448
PC50-Q
TO8Si
Ø8
50
2.5
14


光電二極管模塊

---

First Sensor相關產品