光電耦合器

光電耦合器屬性

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光電耦合器描述

光電耦合器
圖片 型號 名稱 描述
H11L3 光電耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 5mA
H11L2 光電耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 10mA
H11L1 光電耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 1.6mA
EL3083 光電耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3082 光電耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3081 光電耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3063 光電耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3062 光電耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3061 光電耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3053 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3052 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3051 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3043 光電耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3042 光電耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3041 光電耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3033 光電耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3032 光電耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3031 光電耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3023 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:5mA
EL3022 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3021 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3012 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:5mA
EL3011 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3010 光電耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3H7-G 光電耦合器 CTR：50~600﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:5/3 μs

圖片 型號 名稱 描述
EL3H4-G 光電耦合器 CTR：20~300﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
EL111X-G 光電耦合器 CTR：50~600min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:2/3 μs
EL101X-G 光電耦合器 CTR：50~600min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:2/3 μs
ELD217 光電耦合器 CTR：100min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD213 光電耦合器 CTR：100min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD211 光電耦合器 CTR：20min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD207 光電耦合器 CTR：100~200﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD206 光電耦合器 CTR：63~125﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD205 光電耦合器 CTR：140~80﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL217 光電耦合器 CTR：100min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL216 光電耦合器 CTR：50min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL215 光電耦合器 CTR：10min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL213 光電耦合器 CTR：100min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL212 光電耦合器 CTR：50min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL211 光電耦合器 CTR：20min，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL208 光電耦合器 CTR：160~320﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL207 光電耦合器 CTR：100~200﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL206 光電耦合器 CTR：63~125﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL205 光電耦合器 CTR：40~80﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL357-G 光電耦合器 CTR：50~600﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/4 μs
EL354 光電耦合器 CTR：20~300﹪，隔離電壓：3750Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
EL827 光電耦合器 CTR：50~600﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
TIL111 光電耦合器 CTR：50min­­­­­­，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
TIL111 光電耦合器 CTR：- ­­­­­­，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
MCT2E 光電耦合器 CTR：20min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
圖片 型號 名稱 描述
MCT2 光電耦合器 CTR：20min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A5 光電耦合器 CTR：30min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A4 光電耦合器 CTR：10min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A3 光電耦合器 CTR：20min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A2 光電耦合器 CTR：20min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A1 光電耦合器 CTR：50min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
CNY17F-4 光電耦合器 CTR：160~320﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-3 光電耦合器 CTR：100~200﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-2 光電耦合器 CTR:63~125﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-1 光電耦合器 CTR:40~80﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-4 光電耦合器 CTR:160~320﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-3 光電耦合器 CTR:100~200﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-2 光電耦合器 CTR:63~125﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-1 光電耦合器 CTR:40~80﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
4N38 光電耦合器 CTR:20min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N37 光電耦合器 CTR:100min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N36 光電耦合器 CTR:100min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N35 光電耦合器 CTR:100min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N28 光電耦合器 CTR:10min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N27 光電耦合器 CTR:10min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N26 光電耦合器 CTR:20min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N25 光電耦合器 CTR:20min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
EL817-G 光電耦合器 CTR:50~600﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
EL817 光電耦合器 CTR:50~600﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：35V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
EL816 光電耦合器 CTR:50~600﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:4.0/3.0 μs
圖片 型號 名稱 描述
H11AA4 光電耦合器 CTR:100min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA3 光電耦合器 CTR:50min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA2 光電耦合器 CTR:10min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA1 光電耦合器 CTR:20min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
EL814 光電耦合器 CTR:20~300﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：80V（最小），Rise/Fall Time:7.0/11.0μs
EL825 光電耦合器 CTR:600~7500﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：40V（最小），Rise/Fall Time:60/53 μs
TIL113 光電耦合器 CTR:300min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:5/100 μs
H11B3 光電耦合器 CTR:100min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B255 光電耦合器 CTR:100min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B2 光電耦合器 CTR:200min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B1 光電耦合器 CTR:500min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
4N33 光電耦合器 CTR:500min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/100.0 μs
4N32 光電耦合器 CTR:500min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/100.0 μs
4N31 光電耦合器 CTR:50min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
4N30 光電耦合器 CTR:100min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
4N29 光電耦合器 CTR:100min，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
EL815 光電耦合器 CTR:600~7500﹪，隔離電壓：5000Vrms，集電極－發射極電壓：35V（最小），Rise/Fall Time:60.0/53.0 μs

　


　


Judson 光電探測器
　
　


美國EOS光電探測器
　
　


波蘭VIGO中/長波光電探測器

　
　


NIT探測器
　
　


美國Voxtel近紅外雪崩探測器
　
　


CLPT近紅外探測器

　
　


德國IFW紫外探測器

Judson 光電探測器
　
　
　

　



Judson公司成立于1969年，總部位于美國費城，是高性能紅外探測器及其附件產品的領導設計者和制造商。因質量與改革而聞名世界，Judson公司生產的高性能紅外探測器可廣泛應用在通信、醫學、工業、科研、軍事、航空等領域。Judson公司專攻HgCdTe、Ge、InSb、PbS、PbSe、InAs、InGaAs以及熱電探測器材料，其技術和產品橫垮整個紅外光譜范圍。這些產品從To封裝的單一成分光電探測器到復雜結構包括探測器陳列、真空瓶、冷卻器、讀取電路，可工作在廣泛的溫度范圍內。

型號一：Ge探測器（工作波段0.8-1.8微米）



1、簡介：

Ge探測器是高性能的鍺光電二極管，為800－1800nm波長范圍而設計。熱電制冷探測器應用在對截止頻率處響應的溫度穩定性要求嚴格的場合。

2、功能及用途：

★ 光學儀表

★ 光纖測量

★ 激光二極管控制

★ 光學通信

★ 溫度傳感器

3、技術指標

l 響應率：

當光子具有足量被吸附在活躍區域內，鍺光電二極管產生電流穿過PN結。響應率是波長和探測溫度的函數。在一定波長范圍內，溫度變化對響應率影響很小，但在更寬波長范圍內，影響卻很大。

型號二：InGaAs探測器



1、簡介：

J22和J23系列InGaAs探測器工作于0.8µm 到 2.6µm的光譜范圍內。這些探測器為寬范圍內的應用提供快速的上升時間，一致的響應，極好的靈敏度和長期可靠性。為提高截止波長附近性能或響應的溫度穩定性, Judson 提供多種熱電制冷探測器可供選擇。Judson標準InGaAs探測器J22系列,提供從0.8μm到1.7μ m光譜范圍內的高性能和可靠性。除此之外，J23系列擴展InGaAs探測器在以下四個截止波長處可用：1.9μm，2.2μm，2.4μm和2.6μm 。

2、功能及用途：

★ IR 螢光

★ 血液分析

★ 光學分類

★ 輻射線測定

★ 化學探測

★ 光學通信

★ 光學目標跟蹤

★ 激光二極管控制

★ 激光烙印

★ 氣體分析

★ NIR-FTIR

★ 拉曼光譜學

3、技術指標



型號三：InAs探測器



1、簡介：

J12系列探測器是高質量的InAs探測器，在1到3.8μ m 波長范圍內使用。InAs的優勢在于其不像光電半導體材料普遍用在 1-3.8 μ m 波長區域中,InAs工作在光電模式下卻不需要偏置電流。這使直流和低頻應用中，InAs 成為較好的選擇, 因為它不象半導體 PbS，PbSe 和 HgCdTe具有低頻或 "1/ f" 噪音特性. InAs在跟蹤和探測高速激光脈沖信號時也有很高的脈沖響應。

2、功能及用途：

★ 激光預警接收器

★ 程序控制監控器

★ 溫度傳感器

★ 脈沖激光監控器

★ 紅外光譜學

★ 功率儀器

3、技術指標

l 響應率

Rs對InAs探測器響應的影響如下面例子所示。22°C時， Rs 和 Rd 可能大小相同(~10個歐姆)。雖然在探測器的光敏面積上，產生光子幾率一致，但是在區域的中心的附近有些光子被Rd阻止，從而不能到達中心。對探測器光敏面積中心的響應率產生影響。這種效應對具有高阻抗、比較小的光敏面探測器的影響不明顯。若給二極管制冷會減少或消除這種效應，但同時會增加探測器阻抗。

l 溫度影響:

對InAs光電二極管制冷會減少噪音并提高探測率。制冷也會增加 Rd, 讓更多光電流 Iph 到達光敏面中心。結果是二極管響應增加。為適合高功率應用比如激光脈沖探測, 通常制冷不是必需的。為適合感光, 低功率應用，InAs探測器就需要制冷或至少溫度穩定性好。溫度穩定在 22°C 室溫附近不能改善性能, 但是可以防止周圍溫度漂流對探測器的影響。

型號四：PbS探測器

1、簡介：

J13系列探測器是PbS光電導探測器，為 1-3.5μm 波長區域的應用而設計。波長達最高值處的響應依賴工作溫度。這些探測器提供簡單而緊湊的封裝卻得到最高的性能。

他們提供平臺單元, TO封裝和熱電制冷器。熱電制冷器為獲得高靈敏度，更長的工作波長和溫度穩定性而提供很低的工作溫度。

2、功能及用途：

★ NDIR光譜學

★ 光學測溫

★ 光譜學

★ 濕氣分析

3、技術指標



型號五：PbSe探測器



1、簡介：

J14系列探測器是PbSe光電導探測器，為 2-6μm 波長區域的應用而設計。峰值波長處的響應依賴工作溫度并且在4-4.7μm 范圍內具有不同值。

2、功能及用途：

★ 環境氣體分析

★ 醫學氣體分析

★ 光譜學

★ 光學測溫

★ NDIR光譜學

★ 防御應用

3、技術指標

他們提供平臺單元, TO封裝而且兩者并無熱電制冷器。熱電制冷器為獲得高靈敏度，更長的工作波長和溫度穩定性而提供很低的工作溫度。用戶訂制的探測器提供內置電子過濾器。多波長探測器和陣列通常提供產品原型。按照標準規格，Judson室溫PbSe提供高于其他制造商2-3倍的歸一化探測率。

型號六：InSb探測器



1、簡介：

J10D系列探測器是高質量InSb光電二極管,在1到5.5μm波長區域中有很好的性能。

2、功能及用途：

★ 熱成象

★ 搜尋熱目標

★ 輻射計

★ 光譜鑒定

★ FTIR

3、技術指標

單一晶體p-n結技術產生高速,低點噪聲并有很好的一致性，線性和穩定性的探測器。

所有的J10D系列InSb探測器都要求工作溫度是77°K。

型號七： PC光導HgCdTe探測器



1、簡介：

HgCdTe是三種半導體材料混合按一定比例形成的合金混合物可顯示截止波長。真實的探測器由一個薄層（10到20μm) 的HgCdTe在金屬襯底上硬化來定義光敏面積。 光子能量高于半導體能帶隙能量激發電子進入傳導層，因此，增加了材料的傳導率。峰值波長處的響應依靠材料能帶隙能量并很容易被合金化合物改變。為了要感知電導率的變化,需要偏置電流或電壓。典型地，探測器被作成正方形或矩形來維持光敏區域內分配一致的偏置電流。

2、功能及用途：

★ 熱成象

★ CO2激光探測

★ 制導

★ FTIR光譜學

★ 夜視

3、技術指標

每種J15系列HgCdTe明確設計特別的操作溫度范圍。響應率和探測率會隨著溫度降低而增加。HgCdTe PC 探測器有很寬的動態范圍。

J15D系列探測器是HgCdTe光電導探測器，工作在2到26個μ m 波長區域中。 峰值波長響應依靠所采用的特殊合金化合物。所有J15D系列探測器工作于 77°K的低溫條件下. Judson 的上好技術細致的設備選擇，可以提供背景限制（BLIP)探測器有極好的性能。

型號八： PV光伏HgCdTe探測器



1、簡介：

J19TE系列探測器是高質量的HgCdTe光電二極管，用于500 nm 到5.0um 范圍內。等效電路由光子產生的電流Iph 并聯電容CD，阻抗RD和連續阻抗RS組成。

2、功能及用途：

★ 測溫

★ 光譜分析

★ 信號探測

3、技術指標

l 溫度效應:

對HgCdTe光電二極管制冷可減少噪音并改善探測率。制冷也可增加阻抗并提高更長波長范圍內的響應。

l 光電伏HgCdTe的優勢:

不象光電導可普遍用在500nm到5.5um范圍中 ,HgCdTe光電二極管工作于光電伏模式并不要求偏置電流。這使J19TE探測器成為直流和低頻應用的很好選擇，它不象PbS, PbSe和HgCdTe光電導體有低頻或“1/F”噪聲特性。J19TE探測器也為追蹤和探測高速脈沖激光信號提供很好的脈沖響應。

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