IPP120N20NFD
- 發布時間：2020/3/30 9:03:47
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市金嘉銳電子有限公司
- 聯 系 人：朱先生
IPP120N20NFD屬性
- MOSFET
- TO-220-3
- Infineon
IPP120N20NFD描述
產品種類: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 84 A
Rds On-漏源導通電阻: 10.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 65 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降時間: 8 ns
正向跨導 - 最小值: 70 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
Pd-功率耗散: 300 W
上升時間: 10 ns
系列: XPP116N20
工廠包裝數量: 500
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 24 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP120N20NFDAKSA1 SP001108122
單位重量: 6 g
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- 絕對原裝現貨
- MASWSS0199TR
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聯系方式
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