FQA11N90C

• 發布時間：2019/12/4 13:34:33
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市柏新電子科技有限公司

FQA11N90C屬性

FQA11N90C描述

IC描述：MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
FET類型：N溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：900V
電流-連續漏極（Id）（25℃時）：11A（Tc）
驅動電壓（最大Rds On,最小Rds On):10V
不同Vgs 時（th)(最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）：80nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss)(最大值）：3290pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
不同Id，Vgs時的Rds On(最大值）：1.1 歐姆 @ 5.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
全新原裝正品
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐
聯系方式：0755-61352251/QQ2851099673

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