IXFH20N100P
- 發布時間：2019/12/7 9:43:39
- 所屬類別：三極管 » 高頻/射頻三極管
- 公 司：上海墨河電子科技有限公司銷售一部
IXFH20N100P屬性
- 軍事
- MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
- IXYS
IXFH20N100P描述
純正原裝現貨 軍事用途 MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1000 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 570 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 6.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Qg-柵極電荷: 126 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: Polar, HiPerFET
封裝: Tube
高度: 21.46 mm
長度: 16.26 mm
系列: IXFH20N100
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Polar Power MOSFET HiPerFET
寬度: 5.3 mm
商標: IXYS
正向跨導 - 最小值: 8 S
下降時間: 45 ns
Pd-功率耗散: 660 W
上升時間: 37 ns
工廠包裝數量: 30
典型關閉延遲時間: 56 ns
典型接通延遲時間: 40 ns
單位重量: 6.500 g
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