FLASH W25X20CLUXIG TR 存儲器

FLASH W25X20CLUXIG TR 存儲器屬性

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FLASH W25X20CLUXIG TR 存儲器描述

W25X20CLUXIG TR介紹；
描述 IC FLASH 2MBIT 104MHZ 8USON
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
制造商標準提前期 14 周
詳細描述 FLASH 存儲器 IC 2Mb （256K x 8） SPI 104MHz 8-USON（2x3）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Winbond Electronics
系列 SpiFlash?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術 FLASH
存儲容量 2Mb （256K x 8）
時鐘頻率 104MHz
寫周期時間 - 字，頁 800μs
存儲器接口 SPI
電壓 - 電源 2.3 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-UFDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝 8-USON（2x3）

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存儲器：存放程序和數據的器件
存儲位：存放一個二進制數位的存儲單元，是存儲器最小的存儲單位，或稱記憶單元
存儲字：一個數（n位二進制位）作為一個整體存入或取出時，稱存儲字
存儲單元：存放一個存儲字的若干個記憶單元組成一個存儲單元
存儲體：大量存儲單元的集合組成存儲體
存儲單元地址：存儲單元的編號
字編址：對存儲單元按字編址
字節編址：對存儲單元按字節編址
尋址：由地址尋找數據，從對應地址的存儲單元中訪存數據。

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