分立半導體產品 IRFB7440PBF 晶體管

分立半導體產品 IRFB7440PBF 晶體管屬性

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分立半導體產品 IRFB7440PBF 晶體管描述

IRFB7440PBF紹；
描述 MOSFET N CH 40V 120A TO220
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 40V 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®，StrongIRFET™
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 135nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4730pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 143W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.5 毫歐 @ 100A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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半導體三極管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極 (Base) 和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地、集電極接地。最常用的用途應該是屬于訊號放大這一方面，其次是阻抗匹配、訊號轉換……等，晶體管在電路中是個很重要的組件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。

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