晶體管 NTGS3433T1G 分立半導體產品

晶體管 NTGS3433T1G 分立半導體產品屬性

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晶體管 NTGS3433T1G 分立半導體產品描述

NTGS3433T1G介紹；
描述 MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 30 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 12V 2.35A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 2.35A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 550pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 3.3A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 6-TSOP
封裝/外殼 SOT-23-6

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