晶體管 SPU04N60C3BKMA1 分立半導體產品
晶體管 SPU04N60C3BKMA1 分立半導體產品屬性
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晶體管 SPU04N60C3BKMA1 分立半導體產品描述
SPU04N60C3BKMA1介紹;
描述 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 通孔 N 溝道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 4.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 490pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 50W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 950 毫歐 @ 2.8A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO251-3
封裝/外殼 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
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