MOSFET - 單 DMN2050L-7 半導體產品

MOSFET - 單 DMN2050L-7 半導體產品屬性

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MOSFET - 單 DMN2050L-7 半導體產品描述

DMN2050L-7介紹：
描述 MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 20V 5.9A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.9A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 532pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 29 毫歐 @ 5A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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MOSFET在數位電路上應用的另外一大優勢是對直流（DC）訊號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。

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