MOSFET - 單 RTL030P02TR 半導體產品
MOSFET - 單 RTL030P02TR 半導體產品屬性
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MOSFET - 單 RTL030P02TR 半導體產品描述
RTL030P02TR介紹:
描述 MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 3A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 3A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 760pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 70 毫歐 @ 3A,4.5V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TUMT6
封裝/外殼 6-SMD,扁平引線
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MOSFET并非模擬電路設計工程師的首選,因為模擬電路設計重視的性能參數,如晶體管的轉導(transconductance)或是電流的驅動力上,MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進,今日的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。
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