晶體管 FQP65N06 MOSFET - 單
晶體管 FQP65N06 MOSFET - 單屬性
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晶體管 FQP65N06 MOSFET - 單描述
FQP65N06介紹:
描述 MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 通孔 N 溝道 60V 65A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 65A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 16 毫歐 @ 32.5A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。將現有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計算技術界的一大突破。
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