晶體管 BLS7G2729L-350P MOSFET - 射頻

晶體管 BLS7G2729L-350P MOSFET - 射頻屬性

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晶體管 BLS7G2729L-350P MOSFET - 射頻描述

BLS7G2729L-350P介紹：
描述 RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 13 周
詳細描述 射頻 Mosfet LDMOS（雙），共源 32V 200mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 13dB 350W SOT539A
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
制造商 Ampleon USA Inc.
系列 -
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零件狀態 在售
晶體管類型 LDMOS（雙），共源
頻率 2.7GHz ~ 2.9GHz
增益 13dB
電壓 - 測試 32V
額定電流 -
噪聲系數 -
電流 - 測試 200mA
功率 - 輸出 350W
電壓 - 額定 65V
封裝/外殼 SOT539A
供應商器件封裝 SOT539A
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光晶體管（phototransistor）由雙極型晶體管或場效應晶體管等三端器件構成的光電器件。光在這類器件的有源區內被吸收，產生光生載流子，通過內部電放大機構，產生光電流增益。

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