晶體管 MIMD10A-7-F 雙極 (BJT) - 陣列

晶體管 MIMD10A-7-F 雙極 (BJT) - 陣列屬性

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晶體管 MIMD10A-7-F 雙極 (BJT) - 陣列描述

MIMD10A-7-F介紹：
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
晶體管類型 1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 100 歐姆，10 千歐
電阻器 - 發射極基底（R2） 10 千歐
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
頻率 - 躍遷 250MHz，200MHz
功率 - 最大值 200mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 SOT-363
基本零件編號 MD10A
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