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晶體管 BSP299H6327XUSA1 MOSFET - 單

晶體管  BSP299H6327XUSA1   MOSFET - 單產品圖片
  • 發布時間:2019/7/9 14:58:36
  • 所屬類別:其他未分類 » 其他未分類
  • 公    司:安富微(深圳)商貿有限公司

晶體管 BSP299H6327XUSA1 MOSFET - 單屬性

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晶體管 BSP299H6327XUSA1 MOSFET - 單描述

BSP299H6327XUSA1介紹:
描述 MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS®
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 400mA(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 4 歐姆 @ 400mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-SOT223-4
封裝/外殼 TO-261-4,TO-261AA
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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從目前的角度來看MOSFET的命名,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期的柵極(gate electrode)使用金屬作為其材料,但隨著半導體技術的進步,現代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。


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