晶體管 FQT5P10 MOSFET - 單

晶體管 FQT5P10 MOSFET - 單屬性

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晶體管 FQT5P10 MOSFET - 單描述

FQT5P10介紹：
描述 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
制造商標準提前期 32 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 100V 1A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.05 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-223-4
封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA
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當一個夠大的電位差施于MOSFET的柵極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時所謂的“反型層”（inversion channel）就會形成。通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n-type，那么通道也會是n-type。

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