晶體管 STW55NM60ND MOSFET

晶體管 STW55NM60ND MOSFET屬性

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晶體管 STW55NM60ND MOSFET描述

STW55NM60ND介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 51A TO-247

制造商標準提前期 42 周

詳細描述 通孔 N 溝道 600V 51A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMicroelectronics

系列 FDmesh™ II

包裝 ? 管件 ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 51A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 60 毫歐 @ 25.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350W（Tc）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-247-3

封裝/外殼 TO-247-3

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晶體管，本名是半導體三極管，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路

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