晶體管 FQP8N80C 半導體產品
晶體管 FQP8N80C 半導體產品 屬性
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晶體管 FQP8N80C 半導體產品 描述
FQP8N80C介紹:
描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
制造商標準提前期 35 周
詳細描述 通孔 N 溝道 800V 8A(Tc) 178W(Tc) TO-220AB
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 800V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 8A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1.55 歐姆 @ 4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2050pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 178W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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晶體管比電子管體積小很多,需要空間比電子管小很多,電器使用晶體管可以做的很小。無論多么優良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。
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