晶體管 SI4894BDY-T1-GE3 FET
晶體管 SI4894BDY-T1-GE3 FET屬性
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晶體管 SI4894BDY-T1-GE3 FET描述
SI4894BDY-T1-GE3介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
制造商標準提前期 27 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 8.9A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 11 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1580pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:
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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。
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