晶體管 NTGD4167C MOSFET - 陣列
晶體管 NTGD4167C MOSFET - 陣列 屬性
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晶體管 NTGD4167C MOSFET - 陣列 描述
NTGD4167C介紹:
描述 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
制造商標準提前期 30 周
詳細描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 2.6A,1.9A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 90 毫歐 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 295pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商器件封裝 6-TSOP
基本零件編號 NTGD4167C
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從目前的角度來看MOSFET的命名,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極(gate electrode)使用金屬作為其材料
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