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分立半導體晶體管MOSFET IRFPG50PBF

分立半導體晶體管MOSFET  IRFPG50PBF產品圖片
  • 發布時間:2020/3/27 15:59:08
  • 所屬類別:三極管 » 其他三極管
  • 公    司:深圳市瑞卓芯科技有限公司

分立半導體晶體管MOSFET IRFPG50PBF屬性

  • IRFPG50PBF
  • VISHAY

分立半導體晶體管MOSFET IRFPG50PBF描述

Vishay 的產品組合是一個具有無與倫比的分立半導體(二極管、MOSFET 和光電元件)和無源元件(電阻器、電感器和電容器)的集合。 這些組件幾乎適用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天和醫療市場中所有類型的工業電子器件和設備。
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
IRFPG50PBF
描述
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL) 1(無限)
原廠標準交貨期 18 周
詳細描述 通孔 N 溝道 pval(2068) 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
一般信息
數據列表 IRFPG50, SiHFPG50;
標準包裝 25
包裝 管件
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 -

規格
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 1000V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 6.1A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 2 歐姆 @ 3.6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 190W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3

文檔
產品目錄頁面 1529 (CN2011-ZH PDF)
PCN 組件/產地 Mult Devices 18/Aug/2017

公司簡介:深圳市瑞祺芯科技有限公司成立于2008年是一家亞太區優秀的電子零部件獨立分銷商,是一家專門經營各類電子元件(集成電路IC存儲芯片 分立器件,電源,無源元件,連接器,繼電器,傳感器,電子,開關,保險元件,緊固件,開發工具,變壓器 測試與測量等)立足深圳,面向國際市場,公司一慣堅持:“誠信為本”“以芯換心”的經營理念,全心全意為客戶服務是我們的宗旨.公司常備現貨庫存并在亞洲.歐美有著良好的供貨渠道,還有穩定的OEM客戶關系。公司還特別擁有偏冷門,停產,緊缺,禁運,軍工類IC的供應渠道。在香港成立采購中心和進出口中心,在中國深圳成立銷售中心,確保拿到有競爭力的產品與價格,贏得廣大客戶一致的信賴和好評。
公司主營:主營(TI、AD、SN、ST、IR、NEC、AVX、PHILIPS、SNUSNG、PANASONIC、TDK、JRC、SANYO、MURATA、MOTOROLA、ROHM、TAIYO、TOSHIBA、KEC、LITEON、EVERLIGHT、ELNA、HITACHI )等著名品牌產品。
深圳市瑞祺芯科技有限公司
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