RA55H3340M RA13H3340M RA07H0608M

RA55H3340M RA13H3340M RA07H0608M屬性

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RA55H3340M RA13H3340M RA07H0608M描述

一：RA55H3340M是55-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在330-400-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流漏極和RF衰減輸入信號的60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓增加.與周圍4V柵極電壓（***小），輸出功率和漏電流大幅增加.標稱輸出功率變在4.5V（典型值），5V可用（）.在VGG=5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但也可能是線性調制使用設置排水靜態電流與柵極電壓和控制輸出功率與輸入功率.

特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>55W,ηT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•寬帶頻率范圍：330-400MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•線性操作有可能通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率.


二：RA13H3340M是13-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在330-經營移動收音機400-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進排水=0V),只是一個很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current大幅增加.額定輸出功率變為可在4.5V（典型值）和5V（）.在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.

特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Put>13W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•寬帶頻率范圍：330-400MHz

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