晶體管 IPG20N06S4L-26A MOSFET

晶體管 IPG20N06S4L-26A MOSFET屬性

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晶體管 IPG20N06S4L-26A MOSFET描述

IPG20N06S4L-26A介紹：

描述 MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

詳細描述 2 個 N 溝道（雙） Mosfet 陣列 60V 20A 33W 表面貼裝 PG-TDSON-8-4

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 2 個 N 溝道（雙）

FET 功能 邏輯電平門

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 20A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 26 毫歐 @ 17A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 10μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1430pF @ 25V

功率 - 最大值 33W

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 8-PowerVDFN

供應商器件封裝 PG-TDSON-8-4

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：



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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。



Infineon公司是全球十大半導體制造商之一。1999年5月1日，西門子半導體公司正式更名為Infineon，總部設在德國慕尼黑。主要生產汽車和工業電子芯片、保密及IC卡應用IC、通訊多媒體芯片、存儲器件等。1998年Infineon公司是全球十大半導體制造商之一。

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