STP26NM60N

STP26NM60N屬性

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STP26NM60N描述

數據列表 STB,F,P26NM60N;
標準包裝 50
包裝 管件
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 MDmesh™ II

規格
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 165 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 60nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 140W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3

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