存儲器 IS43DR16640B-3DBI 集成電路

存儲器 IS43DR16640B-3DBI 集成電路屬性

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存儲器 IS43DR16640B-3DBI 集成電路描述

IS43DR16640B-3DBI介紹：

描述 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

制造商標準提前期 7 周

詳細描述 SDRAM - DDR2 存儲器 IC 1Gb （64M x 16） 并聯 333MHz 450ps 84-TWBGA（8x12.5）

類別 集成電路（IC）

存儲器

制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列 -

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

存儲器類型 易失

存儲器格式 DRAM

技術 SDRAM - DDR2

存儲容量 1Gb （64M x 16）

時鐘頻率 333MHz

寫周期時間 - 字，頁 15ns

訪問時間 450ps

存儲器接口 并聯

電壓 - 電源 1.7 V ~ 1.9 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 84-TFBGA

供應商器件封裝 84-TWBGA（8x12.5）

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外存通常是磁性介質或光盤等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用于暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。



ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.縮寫。1988年成立，專門設計、開發、銷售高性能存儲半導體產品，用于Internet存儲器件、網絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。

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