晶體管 BSC0902NSI FET

晶體管 BSC0902NSI FET屬性

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晶體管 BSC0902NSI FET描述

BSC0902NSI介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 23A（Ta），100A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.8 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 10mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），48W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PG-TDSON-8

封裝/外殼 8-PowerTDFN

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晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明之一，在重要性方面可以與印刷術，汽車和電話等發明相提并論。晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性，主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程，進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。



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