晶體管 FDS2670 MOSFET - 單

晶體管 FDS2670 MOSFET - 單屬性

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晶體管 FDS2670 MOSFET - 單描述

FDS2670介紹：
描述 MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 200V 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 130 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 43nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1228pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。

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